陶瓷用碳化硅多以多晶粉末或燒結(jié)體的形式存在，由大量微小碳化硅晶粒無序排列組成。晶體結(jié)構(gòu)包含多種晶型（如α-SiC、β-SiC），但無需嚴(yán)格控制單一晶型，重點(diǎn)在于整體材料的致密度與均勻性。它的內(nèi)部充滿晶界和微小孔隙，可能還含有燒結(jié)助劑（如氧化鋁、氧化釔）。

半導(dǎo)體用碳化硅則必須是單晶襯底或外延層，晶體結(jié)構(gòu)高度有序且通常要求特定的晶型，需通過高精度晶體生長技術(shù)獲得單一晶型（如4H-SiC、6H-SiC）。電子遷移率、禁帶寬度等電學(xué)性能對晶型極度敏感，需嚴(yán)格篩選晶型以實(shí)現(xiàn)特定功能。目前主流是 4H - SiC，因?yàn)?4H - SiC 具有高載流子遷移率和高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的電學(xué)性能，非常適合功率器件的應(yīng)用。

陶瓷用碳化硅的制備工藝相對簡單（粉體制備→成型→燒結(jié)），類似“燒磚”。首先將工業(yè)級SiC 粉末（通常為微米級粒度）與粘結(jié)劑混合，然后通過壓制成型，最后在高溫（1600 - 2200℃）下進(jìn)行燒結(jié)，使顆粒間通過擴(kuò)散作用實(shí)現(xiàn)致密化，多數(shù)情況致密度達(dá)到 90% 以上，就能滿足大多數(shù)應(yīng)用需求。整個(gè)過程無需精確控制晶體生長，更側(cè)重于成型和燒結(jié)過程的穩(wěn)定性和一致性。特點(diǎn)是工藝靈活，可以制備復(fù)雜形狀的應(yīng)用部件，不過對原料的純度要求相對較低。

半導(dǎo)體用碳化硅的制備工藝則復(fù)雜得多（高純粉料制備→單晶襯底生長→外延片沉積→器件制造）。首先要制備單晶襯底，目前主流方法是物理氣相傳輸法（PVT），需要在高溫（2200 - 2400℃）、高真空的嚴(yán)苛條件下，使 SiC 粉末升華后在籽晶上沉積生長，期間要精確控制溫度梯度（±1℃）和壓力等參數(shù)，以確保晶體的完整性和高質(zhì)量。之后根據(jù)產(chǎn)品工藝要求，還需要通過化學(xué)氣相沉積（CVD）方法生長外延層，在襯底上形成厚度均勻、摻雜可控的外延層，厚度通常為幾微米至幾十微米。整個(gè)制備過程需要在超高潔凈環(huán)境（如 Class 10 級潔凈室）中進(jìn)行，以避免雜質(zhì)污染，影響材料性能。特點(diǎn)是工藝高度精密，需控制溫場、氣體流速等參數(shù)，對原料純度（>99.9999%）與設(shè)備要求嚴(yán)苛。

陶瓷用碳化硅由于原料為工業(yè)級 SiC 粉末，制備工藝相對簡單，所以成本較低，噸價(jià)通常在幾千元到幾萬元之間，市場應(yīng)用廣泛，主要面向磨料磨具、耐火材料等對成本較為敏感的行業(yè)。

半導(dǎo)體用碳化硅由于單晶襯底制備周期長，且缺陷控制難度大，合格率較低，導(dǎo)致成本極高，一片 6 英寸的襯底單價(jià)可達(dá)數(shù)千美元。其市場主要集中在對材料性能要求極高的高端電子領(lǐng)域，如功率半導(dǎo)體器件、射頻器件等行業(yè)，隨著新能源汽車、5G 通信等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，市場需求呈現(xiàn)出快速增長的趨勢。

陶瓷用碳化硅是“工業(yè)硬漢”，主要充當(dāng)結(jié)構(gòu)材料的角色，憑借其出色的力學(xué)性能（高硬度、耐磨性）和熱學(xué)性能（耐高溫、抗氧化），在磨料磨具（砂輪、砂紙）、耐火材料（高溫窯爐內(nèi)襯）、耐磨/耐腐蝕部件（泵體、管道內(nèi)襯）等領(lǐng)域大顯身手。